Verbindung zwischen den Anschlussflächen (pads) eines integrierten Schaltkreises und den Anschlüssen im Inneren des Chipgehäuses mithilfe von Drähten (Au, Au-Si, Al, etc.). Dies ist durch verschiedene Verfahren, wie dem Thermokompressionsbonden, dem Ultraschallbonden und dem Thermosonic Bonding, das die ersten beiden Verfahren verbindet, möglich.